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【出版・プレスリリース】朝倉さん（D3）の論文出版 / プレスリリース：ワイル反強磁性体による交換バイアスの室温制御に成功—新奇な磁気秩序を活かした機能設計が導く、スピントロニクス技術の新展開—

  • nakatsuji-lab
  • 6月17日
  • 読了時間: 1分

朝倉海寛さん（D3）が中心となって行った、ワイル反強磁性体Mn3Snと強磁性体との接合界面において生じる交換バイアスの室温下制御に関する論文が出版されました。


M. Asakura, T. Higo, T. Matsuo, Y. Tsushima, S. Kurosawa, R. Uesugi, D. Nishio-Hamane, S. Nakatsuji

"Magnetic Field Switching of Exchange Bias in a Metallic FM/AFM Heterostructure at Room Temperature"



本研究成果に関して、プレスリリースを発表しました。


強磁性体–反強磁性体間に生じる交換バイアスの模式図。左：従来の強磁性体–反強磁性体2層膜における交換バイアス。交換バイアスを制御するには冷却操作が必要で、温度を保ったまま制御すること（等温制御）は困難。右：本研究で扱った強磁性体–ワイル反強磁性体Mn3Snの2層膜における交換バイアス。従来の交換バイアスと異なり、磁場印加によって交換バイアスを制御することが可能。（図：プレスリリースのページより引用）

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