朝倉さん(D2)が中心となって行った、交換バイアスを用いた反強磁性体の磁気状態制御についての成果がJSTの「Science Japan」「客観日本」にて特集されました

朝倉海寛さん(D2)が中心となって行った、交換バイアスを用いた反強磁性体Mn3Snの磁気状態制御についての成果(Asakura et al., Adv. Mater. 2400301 (2024))が、国立研究開発法人 科学技術振興機構(JST)が運営する英語ポータルサイト「Science Japan」および中国語ポータルサイト「客観日本」にて記事として取り上げられました。

ぜひご覧ください。

Science Japan

"The University of Tokyo takes a big step toward ultrafast, ultra-power-efficient memory — Magnetic states of antiferromagnets controlled through exchange bias"

客観日本

「东京大学发现反铁磁体的磁性状态可控，向实现超高速、超低功耗存储器迈出重要一步」

論文：

M. Asakura, T. Higo, T. Matsuo, R. Uesugi, D. Nishio-Hamane, S. Nakatsuji

"Observation of Omnidirectional Exchange Bias at All-Antiferromagnetic Polycrystalline Heterointerface"

Adv. Mater. 2400301 (2024).

関連プレスリリース：

「交換バイアスを用いた反強磁性体の磁気状態の制御に成功―超高速・超省電力メモリの開発への大きな一歩―」